功能描述：MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

RoHS：是

类别：分离式半导体产品 >> FET - 单

系列：-

标准包装：1,000

系列：MESH OVERLAY™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V

功率 - 最大：40W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220FP

包装：管件

IXTA02N250

IXTA02N450HV

IXTA05N100

IXTA06N120P

IXTA08N100D2

IXTA08N100P

IXTA08N120P

IXTA08N50D2

IXTA100N04T2

IXTA102N15T